液晶驱动IC的组成和作用是什么？有机发光显示屏的驱动方式CES展上索尼有机发光二极管液晶电视有机发光二极管的驱动方式可以分为主动驱动(active driving)和被动驱动(passive driving)。分为静态驱动电路和动态驱动电路，静态驱动电路一般用于驱动分段显示屏，TFT-LCD的dualGate详解要理解这个方案，首先要知道TFT的驱动IC中SourceIC比GateIC贵很多，在同样的分辨率下，两源一门的方案比一源二门的方案成本要高得多，如果门通道数比较少，成本还要低。
1、LCD行业中,COG和TFT什么区别?COG上有偏光片吗?
我来澄清几个概念。你说的触摸屏其实是由触摸屏模块和显示(TFT)模块组成的。最简单的显示模块主要由“LCD显示屏驱动IC背光FPC连接器”组成。其中，LCD是液晶显示器，有很多种，如黑白液晶显示器、TFT液晶显示器、有机发光二极管显示器。如果是有机发光二极管显示器，因为有机发光二极管主动发光，所以可以在显示模块中省略背光部件。
这就涉及到IC组装/封装方式，比如COG模式、COB模式、COG模式等。其中COG就是chiponglass，即IC直接组装在LCD上，其封装方式也可称为COG。至于偏光片，它是LCD中使用的一个部件，贴在LCD的正面和背面，只有一个方向的偏振光可以通过。具体原理请参考LCD的工作原理。所以COG，TFT，偏光片不是一个类型的东西，都有不同的概念和定义。
2、TFT-LCD的dualgate详解
要理解这个方案，首先要知道TFT的驱动IC中SourceIC比GateIC贵很多。在同样的分辨率下，两源一门的方案比一源二门的方案成本要高得多，如果门通道数比较少，成本还要低。所以Dualgate唯一的优势也是最大的优势:省钱。
索尼有机发光二极管液晶电视有机发光二极管in 3、有机发光显示屏的驱动方式
CES展的驱动方式分为主动驱动(active driving)和被动驱动(passive driving)。分为静态驱动电路和动态驱动电路。⑴静态驱动方式:在静态驱动的有机发光显示器件上，一般有机发光像素的阴极一起引出，每个像素的阳极分开引出，这是常见的阴极连接方式。如果像素发光，则只要恒流源的电压和阴极的电压之间的差大于像素的发光值，该像素就会在恒流源的驱动下发光。如果一个像素不发光，它的阳极连接到负电压，它可以反过来关闭。
静态驱动电路一般用于驱动分段显示屏。⑵动态驱动模式:在动态驱动的有机发光显示器件上，人们将像素的两个电极做成矩阵结构，即一个水平组显示像素的同性质电极共用，一个垂直组显示像素的其他同性质电极共用。如果像素可以分成n行和m列，则可以有n个行电极和m个列电极。行和列分别对应于发光像素的两个电极。即阴极和阳极。
4、TFT的技术特点都是什么
大面积90年代初，第一代大面积玻璃基板(300mm×400mm)TFTLCD生产线投产，到2000年上半年，玻璃基板面积已经扩大到680mm×880mm)。近期，950mm×1200mm玻璃基板也将投产。原则上没有面积限制。用于液晶投影的高集成度的1.3英寸TFT芯片的分辨率是百万像素的XGA。SXGA(1280×1024)分辨率的16.1英寸TFT阵列非晶硅的膜厚只有50nm，IC的集成度、对设备和电源技术的要求以及TABONGLASS和SYSTEMONGLASS工艺的技术难度都高于传统LSI。
5、TFT是呢什么材质的啊
主要结构为:双玻璃结构，TFT器件，液晶，封框胶。双层玻璃的外层是偏振器。TFTModule里还会有电路板、IC、机械框架、背光等等。我不知道你问的是TFT还是TFTLCD。TFT是一种薄膜晶体管，是TFTLCD的一部分。其成分一般有:无碱玻璃、铝、钼、氧化铟锡、asi(非晶硅)、氮化硅化合物等。TFTLCD(TFT LCD面板)主要由TFT阵列基板、CF基板(彩色滤光片)、两基板外的偏光片、两基板间的PI膜(液晶取向膜)、粘合两基板的封框胶、液晶分子、gateCOF(栅极驱动膜集成芯片)、sourceCOF(源极驱动膜集成芯片)、PCBA(电源、信号驱动控制电路板)、背光组成。
6、LCD驱动IC的构成及作用是什么?
LCD驱动IC原理LCD的信号扫描方式是一次一列，一次一列。GateDriverIC连接在晶体管的栅极端，负责开关每一行晶体管，扫描时一次开启一整行晶体管。当晶体管打开时，SourceDriverIC可以逐行控制亮度、灰度和颜色，并通过晶体管的源极端和漏极端形成的通道进入面板的像素。
当GateDriver逐列动作时，SourceDriver负责在每列逐行输入数据电压，所以也称为ColumnDriver或DataDriver。大尺寸液晶驱动IC的特点一、高压技术，模拟电路中电压越高，驱动能力越强，所以大尺寸LCD驱动IC采用高压制造工艺，通常SourceDriverIC为10~12V，GateDriverIC更高，达到40 V。