通过Ti3C2Tx与Cs2AgBiBr6的异质结构的电子局域函数、差分电荷密度及平面差分密度结果证实了二者之间微弱的范德瓦尔斯相互作用。通常来讲，半导体与金属材料之间形成的异质结构会导致强烈的费米钉扎效应，由于界面之间强烈的相互作用，会破坏半导体带隙，这将使异质结中半导体的能带位置变得难以调控，从而产生较大的肖特基势垒，进而影响异质结构中载流子的迁移，且受到影响的带隙还会影响材料对光的吸收效率。
1、 异质结的三种类型
利用异质 junction策略的一些例子，可以通过调整形貌来增加两个半导体之间的接触界面。如制造核壳结构、超薄超小纳米片等。同一半导体的不同相也可以形成a /结，也叫异质结。构建多能级异质结，使电子和空穴逐层转移。构建异质结的策略可能存在的问题虽然异质结的构建在一定程度上阻碍了电子和空穴的复合。然而，另一方面，这种构造模式使得氧化和还原反应都在较低的电势下发生。
虽然B的传导势较低，但是导带上大量的光激发电子会影响a中电子的转移，以上两点就是这个general 异质 knot的致命问题。其他异质结的构造和催化作用如何？让我们拭目以待。结策略的一些例子用于通过调整形态来增加两个半导体之间的接触界面。如制造核壳结构、超薄超小纳米片等。同一半导体的不同相也可以形成a /结，也叫异质结。构建多能级异质结，使电子和空穴逐层转移。
2、P-InPI-GaAsN-InP双 异质结 结构光电二极管的主要优点是什么?
【答案】:PInP的带隙为1.35eV，不吸收波长大于0.92 μ m的光，因此在光通信的1.5 ~ 1.65μm波段不存在吸收损耗。。IInGaAs的带隙为0.75eV(对应于1.65微米的截止波长)，在1.3 ~ 1.6微米波段表现出很强的吸收。这样对于光通信的低损耗波段，光吸收只发生在I层，完全消除了慢电流(扩散电流)的影响，可以获得最佳的量子效率和频率响应。
3、什么是同质结与 异质结?
什么是齐次纽结和异质纽结？1.同质结是由同一半导体形成的结，包括pn结、pp结和nn结。2.异质结是一种特殊的PN结，它是在同一基座上依次沉积两层或两层以上不同半导体材料的薄膜形成的。这些材料具有不同的能隙，它们可以是砷化镓等化合物或硅锗等半导体合金。半导体异质 结构的二极管特性非常接近理想二极管。此外，可以通过调节每个半导体材料层的厚度和带隙来改变二极管电流和电压的响应参数。
扩展数据异质 结构半导体中的双极晶体管异质 结构，中间层的能带较低，因此电子很容易从相邻的中间层注入，所以可以利用晶体管中发射极到集电极的电流。同时可以减小基极的厚度，提高其掺杂浓度，从而提高反应速率，所以异质 结构可以用来制作快速晶体管，用半导体异质 结构制作晶体管及其特性分析的建议是Kerram在1957年提出的。